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氣相液相儀華粵行IVF顯微操作胚胎移植是一種輔助生殖技術，它涉及使用顯微鏡和精細的工具在體外進行胚胎的植入。這種技術通常用于體外受精（IVF）過程中，以提高受孕...

工業(yè)半導體微納加工二維材料實驗室設備簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反...

PE鉑金埃爾默ICPMS是美國鉑金埃爾默公司（PerkinElmer, Inc.）推出的一款高性能的電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（Inductively Couple...

氣相沉積光刻機刻蝕機磁控濺射簡要描述：化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxN...

簡要描述：便攜式樣品傳送腔體沉積系統(tǒng)是一種專門設計用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設備。這種設備通常包括一個或多個關鍵組成部分，如連接真空計的接口、反射式光...

簡要描述：4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng)“可能指的是一種用于實驗或研究的設備或組件，特別是在材料科學、物理學、工程學或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設備。

簡要描述：插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實用的加熱設備，廣泛應用于各種工業(yè)和商業(yè)領域。這種加熱器通常具有緊湊的設計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效...

簡要描述：脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺是一個關鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。

簡要描述：脈沖激光沉積靶臺的設計和應用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實驗結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因...

簡要描述：脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個高度復雜和精密的系統(tǒng)，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜。同時，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術也...

簡要描述：單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種的材料制備技術，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個沉...

簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種的薄膜制備技術，它結(jié)合了脈沖激光...

簡要描述：電漿原子層沉積設備是一種基于常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。

簡要描述：原子層沉積設備2為一種氣相化學沉積技術。大多數(shù)的ALD反應，將使用兩種化學物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應。

簡要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應使用兩種或更多種化學物質(zhì)（稱...

簡要描述：批量式電漿輔助氣相沉積設備為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小...

簡要描述：感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各...

簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。

簡要描述：電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉...